Sputtertarget aus Kupfer (Cu)
Sputtertarget aus Kupfer (Cu)

Sputtertarget aus Kupfer (Cu)

Das Kupfer-Sputtertarget hat die gleichen Eigenschaften wie metallisches Kupfer (Cu). Kupfer ist ein chemisches Element mit dem Symbol Cu (aus dem Lateinischen: cuprum) und der Ordnungszahl 29. Es ist ein weiches, formbares und dehnbares Metall mit sehr hoher thermischer und elektrischer Leitfähigkeit.
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Produktbeschreibung

 

Kupfer-Sputtertargets haben die gleichen Eigenschaften wie metallisches Kupfer (Cu). Kupfer ist ein chemisches Element mit dem Symbol Cu (aus dem Lateinischen: cuprum) und der Ordnungszahl 29. Es ist ein weiches, formbares und dehnbares Metall mit sehr hoher thermischer und elektrischer Leitfähigkeit. Frisch freiliegendes reines Kupfer ist rosa-orange. Kupfer wird als Wärme- und Stromleiter, als Baumaterial und als Bestandteil verschiedener Metalllegierungen verwendet. Kupfer-Sputtertargets werden durch Schmelztechnologie hergestellt und werden häufig in den Bereichen Halbleiter, dekorative Beschichtung und moderne Verpackung eingesetzt.

 

Wir können Kupfer-Sputtertargets mit einer Reinheit von 99,9 % bis 99,9999 % herstellen, und der niedrigste Sauerstoffgehalt kann für Halbleiterverdrahtung usw. verwendet werden. Wir produzieren nicht nur planare Kupfer-Sputtertargets (maximale G8.5-Generation), sondern auch rotierende Kupfertargets, die hauptsächlich in der Touchscreen-Industrie verwendet werden. Da es schwierig ist, das Korn zu brechen, können wir nur mit sehr großer Verformung arbeiten und das Wachstum von Zwillingen kontrollieren, um eine feine und gleichmäßige Mikrostruktur zu erzielen, die eine geringere Erosionsrate und Empfindlichkeit der Partikelbildung während des Sputterns gewährleistet.

Nachfolgend sind zwei Mikrofotografien unseres Kupfer-Sputtertargets mit einer durchschnittlichen Korngröße von <50μm dargestellt.

 

Kupfer (Cu) Spezifikationen

 

Materialtyp

Kupfer

Symbol

Cu

Atomares Gewicht

63.546

Ordnungszahl

29

Farbe/Aussehen

Kupfer, Metallic

Wärmeleitfähigkeit

400 W/m.K

Schmelzpunkt (Grad)

1,083

Der Wärmeausdehnungskoeffizient

16.5 x 10-6/K

 

Kupfer-Sputtertarget und Herstellungsverfahren

 

Das Kupfer wird durch mehrfache Elektrolyse und regionales Schmelzen von 99,95 % auf 99,99 %, 99,999 % und 99,9999 % gereinigt. Die höchste Reinheit in China beträgt etwa 99,9999 % (6N). Mit hochreinen Kupferbarren als Rohstoff können durch Schmieden, Walzen und Wärmebehandlung der Rohstoffe die Kristallkörner in den Kupferbarren kleiner werden und die Dichte erhöht werden, um die Anforderungen an Kupfertargets zum Sputtern zu erfüllen. Das hochreine Kupfermaterial wird nach der Verformungsbehandlung mechanisch verarbeitet. Die Verarbeitung des Kupfertargets erfordert hohe Präzision und hohe Oberflächenqualität und kann auf die von der Vakuumbeschichtungsmaschine benötigte Targetgröße verarbeitet werden.

 

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