4N HfO2 dotiert mit 2 % Ti-Target
4N HfO2 dotiert mit 2 % Ti-Target

4N HfO2 dotiert mit 2 % Ti-Target

Das mit 2 % Ti-dotierte HfO₂-Sputtertarget wird unter Verwendung eines hoch-reinen Hafniumoxidsubstrats hergestellt, das präzise mit 2 % Titan dotiert ist. Es zeichnet sich durch seine einheitliche Zusammensetzung und hohe Dichte aus und eignet sich ideal für Anwendungen in der optischen Beschichtung, der Halbleiter-Dünnschichtabscheidung und der Herstellung funktioneller Beschichtungen. Das Target weist eine ausgezeichnete thermische Stabilität und elektrische Eigenschaften auf und gewährleistet einen stabilen und kontrollierbaren Sputterprozess, wodurch die präzise Abscheidung hochwertiger Dünnschichtmaterialien erleichtert wird.
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Beschreibung von 4N HfO2, dotiert mit 2 % Ti-Target

 

Das mit 2 % Ti dotierte HfO2-Target ist ein funktioneller Materialvorläufer, der durch präzise Dotierungstechniken auf atomarer Ebene hergestellt wird. Im Kern beinhaltet dieses Material die Einführung von Titan in eine Hafniumdioxidmatrix in einem Molverhältnis von 2 %, wodurch eine feste Lösung entsteht, in der Ti⁴⁺-Ionen Hf⁴⁺-Ionen im HfO₂-Kristallgitter teilweise ersetzen. Bei diesem Dopingvorgang handelt es sich nicht nur um eine einfache physikalische Mischung; Vielmehr soll es die Mikrostruktur und die elektronischen Eigenschaften des Materials aktiv modulieren und ihm so spezifische Funktionalitäten verleihen, die über die von reinem HfO₂ hinausgehen. Die physikalische Form des Sputtertargets dient als entscheidendes Vehikel für seine Anwendung in fortschrittlichen Dünnschicht-Fertigungstechnologien. Solche Ziele müssen strengen Standards für hohe Reinheit (typischerweise 99,99 % oder mehr), hohe Dichte und Gleichmäßigkeit der Zusammensetzung entsprechen. Eine hohe Reinheit ist wichtig, um zu verhindern, dass unkontrollierte Verunreinigungen die Leistung des resultierenden Dünnfilms beeinträchtigen. Umgekehrt gewährleisten eine hohe Dichte und Gleichmäßigkeit die Stabilität sowohl der Zusammensetzung des Films als auch seiner Abscheidungsrate während des Sputterprozesses und ermöglichen so, dass der dünne Film die geplanten Eigenschaften des Zielmaterials präzise „erbt“.

 

Anwendungen von 4N HfO2 dotiert mit 2 % Ti-Target

 

Advanced Semiconductor Memory: Insbesondere im Bereich des Ferroelectric Random-Access Memory (FeRAM). Die Dotierung mit Titan trägt zur Stabilisierung der ferroelektrischen orthorhombischen Phase von HfO₂ bei und verleiht ihm hervorragende ferroelektrische Schalteigenschaften, die die Anforderungen für Speichergeräte mit hoher -Dichte und geringer-Leistung erfüllen.
Hoch-Dielektrikum-Konstantes (Hohes-κ) Gate-Dielektrikum: In integrierten Schaltkreisen dient es als dielektrische Schicht für Transistorgates; Durch die Ausnutzung seiner hohen Dielektrizitätskonstante reduziert es effektiv die physikalische Dicke und behält gleichzeitig eine hervorragende Isolationsleistung und Zuverlässigkeit bei.
Funktionelle Beschichtungen und optische Dünnfilme: Aufgrund seines hohen Brechungsindex, seiner hervorragenden chemischen Stabilität und seiner optischen Eigenschaften-die durch Dotierung angepasst werden können-wird es in speziellen optischen Beschichtungen oder Schutzschichten verwendet.

 

Spezifikationen von 4N HfO2, dotiert mit 2 % Ti-Target

 

Größe: 50,8 mm Durchmesser. *3mm tk

Art der Verklebung: In

Rückplatte: Cu

Rückplattengröße: 50,8 mm Durchmesser *3 mm tk

 

Qualitätskontrolle und Prüfung von 4N HfO2 dotiert mit 2 % Ti-Target

 

1QC

 

FAQ für 4N HfO2 dotiert mit 2 % Ti-Target

 

Bist du ein Fabrik bzw aHersteller?
A: Ja, wir sind eine Fabrik für 4N HfO2 dotiert mit 2 % Ti-Targets, aber wir nutzen im Allgemeinen unsere Handelsgesellschaft, um das Geschäft im Ausland abzuwickeln. Es ist bequemer, die Überweisung zu erhalten und den Versand zu arrangieren.

Was ist die Versandart?
A: Im Allgemeinen versenden wir 4N HfO2 dotiert mit 2 % Ti-Target per UPS, DHL oder FedEx. Wir können auch auf dem Seeweg zu einem Seehafen oder auf dem Luftweg zum nächstgelegenen Flughafen versenden.

Warum ist Ihr mit 2 % Ti-Target dotiertes 4N HfO2 so kostengünstig-effektiv?
A: Wir verzichten auf Zwischenhändler im End-{0}}to--Herstellungsprozess und beziehen das Rohmaterial direkt von der Quelle.

Führen Sie eine punktuelle Qualitätsprüfung durch?Produkte?
A: 100 % vollständige Inspektion auf jeden Fall. Alle nicht qualifizierten 4N HfO2-dotierten mit 2 % Ti-Targets werden verworfen.

Wie stellen Sie Ihre Vorlaufzeit sicher?
A: Von der Materialvorbereitung über die Bearbeitung bis hin zur vollständigen Inspektion. Jeder Produktionsschritt wird streng überwacht und kontrolliert, um Ihnen eine genaue Lieferzeit zu gewährleisten.

Wie hoch ist die Mindestbestellmenge von 4N HfO2, dotiert mit 2 % Ti-Target?
A: Hängt von der Menge an 4N HfO2 ab, dotiert mit 2 % Ti-Target; Im Allgemeinen gibt es keine Mindestbestellmenge.

So bezahlen Siedie Produkte?
A: Eine Banküberweisung (T/T) ist akzeptabel.

Wie lange ist die Lieferzeit?
A: Ungefähr 7–20 Tage, abhängig von der Menge und Produktion von 4N HfO2, dotiert mit 2 % Ti Target.

Um was für ein Paket handelt es sich?
A: Im Allgemeinen verwenden wir eine Karton- oder Sperrholzkiste mit schützendem Material im Inneren, um die Sicherheit von 4N HfO2, dotiert mit 2 % Ti Target, zu gewährleisten.

Wie lange ist die Vorlaufzeit?
A: Von der Bestellung bis zum Empfang der Fracht vergehen etwa 10 bis 25 Tage.

 

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