Sputtertarget Ti50Al50

Sputtertarget Ti50Al50

Sputtertargets Ti50Al50 werden mit HIP-Technologie hergestellt und häufig für Werkzeugbeschichtungen und dekorative Beschichtungen verwendet. Im Vergleich zur Schmelztechnologie haben mit HIP-Technologie hergestellte TiAl-Targets eine gleichmäßigere Mikroinnenstruktur, eine kleinere Korngröße und sind für verschiedene Magnetron-Sputtermaschinen und Ionenplattierungsmaschinen geeignet.
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Produktbeschreibung

 

Wir liefern hochwertige Sputtertargets: Ti50Al50-Sputtertargets, Keramiktargets und Metalltargets.

Sputtertargets Ti50Al50 werden mit HIP-Technologie hergestellt und häufig für Werkzeugbeschichtungen und dekorative Beschichtungen verwendet. Im Vergleich zur Schmelztechnologie haben mit HIP-Technologie hergestellte TiAl-Targets eine gleichmäßigere Mikroinnenstruktur, kleinere Korngrößen und sind für verschiedene Magnetron-Sputtermaschinen und Ionenplattierungsmaschinen geeignet. Der Endbenutzer kann während des PVD-Prozesses konstante Erosionsraten sowie eine hochreine und homogene Dünnschichtbeschichtung erzielen.


Die mit TiAl-Dünnschichten beschichteten Werkzeuge weisen höhere Vorschubgeschwindigkeiten, eine bessere Schnittleistung und längere Standzeiten auf und es lassen sich problemlos höhere Zerspanungsleistungen erzielen.

Unsere Sputtertargets Ti50Al50 werden durch moderne HIP-Verfahren und Vakuum-Heißpressverfahren hergestellt und umfassen planare Targets, kreisbogenförmige Targets, zylindrische Targets (hergestellt durch monolithische Formgebungsverfahren) usw. Sie zeichnen sich durch ein breites Komponentenverhältnis (ab 10 Atomprozent-90 Atomprozent für Al-Komponenten), hohe Reinheit und Dichte, feine und gleichmäßige Körnung und längere Lebensdauer usw. aus.

Die typischen Komponentenverhältnisse für TiAl-Targets umfassen 33:67 Atomprozent, 50:50 Atomprozent und 70:30 Atomprozent usw.

 

Produktparameter

 

Chemische Bestandteile (at%)

Ti33Al67

Ti50Al50

Ti70Al30

Reinheit (%)

99.8

99.8

99.8

Dichte (g/cm³)

3.29

3.60

3.95

Korngröße (μm)

Kleiner oder gleich 100

Kleiner oder gleich 100

Kleiner oder gleich 100

Wärmeleitfähigkeit (W/mK)

98

70

40

Wärmeausdehnung (1/K)

1.9*10-5

1.75*10-5

1.35*10-5

Spezifikation Abmessungen (mm)

Zylindrische Ziele:
Monolithische Formgebung im HIP-Verfahren
Länge: Kleiner oder gleich 2000
Dicke: Weniger als oder gleich 15

 

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